Properties of epitaxial (AlxGa1 − xAs)1 − yCy alloys grown by MOCVD autoepitaxy
Seredin, P. V. ; Domashevskaya, E. P. ; Arsentyev, I. N. ; Vinokurov, D. A. ; Stankevich, A. L.
Semiconductors (Woodbury, N.Y.), 2013, Vol.47 (1), p.7-12 [Periódico revisado por pares]Dordrecht: SP MAIK Nauka/Interperiodica
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