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0.15-μm-Gate InAlAs/InGaAs/InP E-HEMTs utilizing Ir/Ti/Pt/Au gate structure

KIM, Seiyon ; ADESIDA, Ilesanmi

IEEE electron device letters, 2006-11, Vol.27 (11), p.873-876 [Periódico revisado por pares]

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Título:
0.15-μm-Gate InAlAs/InGaAs/InP E-HEMTs utilizing Ir/Ti/Pt/Au gate structure
Autor: KIM, Seiyon ; ADESIDA, Ilesanmi
Assuntos: Applied sciences ; Compound structure devices ; Design. Technologies. Operation analysis. Testing ; Electronics ; Exact sciences and technology ; Integrated circuits ; Microelectronic fabrication (materials and surfaces technology) ; Semiconductor electronics. Microelectronics. Optoelectronics. Solid state devices ; Transistors
É parte de: IEEE electron device letters, 2006-11, Vol.27 (11), p.873-876
Editor: New York, NY: Institute of Electrical and Electronics Engineers
Idioma: Inglês

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